Билет №8. Биполярные транзисторы, их структура и свойства. Принцип работы и т.д. Биполярный транзи-стор – п/п прибор, состоящий из 3-х слоев с чередующейся проводимостью p-n-p или n-p-n. Материалом, из которого изготавливается – кремний, германий, и имеет 3 вывода
для подключения во внешнюю цепь. Ток в биполярном транзисторе вызван движением основных носителей зарядов 2-х типов: электронов и дырок. Отсюда и название – биполярный. Один из 3-х слоев наз-ся эмитерным. Его назначение – иммитирование (эмиссия) носителей зарядов в базу. Второй слой наз-ся коллекторным (коллектор) – собирает носители заряда через базовый слой. Технологически ширина коллек-торного слоя больше чем эмитерного. Полярность внешних источников напря-жения у базы эмиттера у kэ должна быть такой, чтобы эмитерный переход (переход к базе эмиттер) был под действием обратного. Это нормальный режим работы биполярного транзистора. Существует и инверсный режим, когда полярности этих напряжений меняются на обратную.
Существует 3 способа включения транзистора в схему устройства: Схема с общим эмиттером (ОЭ) Схема с общим коллектором (ОК) Схема с общей базой (ОБ) Различие заключается в том, какой из выводов транзистора является общим для входной и выходной цепи Наиболее часто используют схему ОЭ, т.к. она дает максимально возможное усиление по напряжению. Схема ОК дает максимальное входное сопротивление. Она обладает большим коэффициентом усиления по току и по мощности. Схема ОБ обладает большим коэфф усиления по мощности на высоких и сверхвысоких частотах, там где предыдущие схемы обеспечить такой коэффициент не могут.
Если UБЭ>0 и UКЭ>0, начинается усиленная диффузия дырок из эмиттера в базу, образуя IЭ.
Поскольку технологически база выполняется очень тонкой, то основная часть дырок достигает коллекторного перехода не попадая в центр рекомбинации, находящейся в базе. Дырки, не успевшие рекомбинировать, захватываются электрическим полем коллекторного перехода, образуя ток коллектора. Те дырки, кот рекомбинировали, образуют IБ. Т.о. IЭ= IК+IБ. При увеличении IЭ на ?IЭ , ток IК увеличивается на ?IК. ?IК=???IЭ ;?- коэфф передачи тока эмиттера. Его численное значение ?=0,9; …;0,99. IБ= IЭ(1-?); IК?(?/1-?)?IБ;(?/1-?)=? - коэфф передачи тока базы; ?>>1; ? - усиление по току. Т.о. схема ОЭ дает усиление по току значительно больше 1.
